

2022/09/27
圖文引用自:technews
逆向工程(Reverse Engineering),對於不熟悉此工程的人,常常將之與駭客、盜版、竊盜連結在一起。但其實不盡然,隨著專利戰盛行,逆向工程對於許多企業而言,不僅是用來保護自身的專利,確保競爭對手不能非法使用這些專利,同時也保護自己不會侵犯到競爭對手的專利。
而對於半導體產業而言,逆向工程更一直是研發設計的主軸,可以協助 IC 設計在開發新產品所需的成本、工時、人力與技術作全面性的分析,並可針對有專利性的電路,經專利地圖資料庫分析比較以做好專利迴避,藉此了解市場態勢並掌握商機。
宜特小學堂針對逆向工程議題,進行過非常多次的討論(看影片: 良率 UP! 小尺寸 IC 封裝獨家去層手法,完整提出電路圖!),我們曾經探討過,針對奈米等級的先進製程晶片,我們是透過何種去層手法(delayer),取 Die 觀察裡頭每一層的電路布局(layout)(閱讀更多:晶片去層 用這招避免 Die損壞 完整提出電路圖);也分享過,如何大範圍掃描拍照,透視奈米等級晶片的線路(閱讀更多: 如何利用 SEM 全視界影像技術,逆向透視奈米等級製程,避免侵權?)。而本月小學堂,我們將分享三大案例,帶您從奈米世界的逆向分析,回到 BGA 封裝體,甚至是 PCB 等級的大範圍 Layout 提取技術。
此案例為欲了解 BGA 封裝體各層結構,在這種情況下,是無法使用破壞性酸蝕手法進行封裝體去除,一旦去除,BGA 封裝體就會遭受破壞。那該怎麼辦呢?此時,我們可以透過超高解析度 3D X-Ray 顯微鏡(簡稱 3D X-Ray),此為非破壞性的 X 射線透視技術,搭配光學物鏡提高放大倍率進行分析,分析手法為將待測樣品固定後進行 360° 旋轉,在這過程中收集各個不同角度的 2D 穿透影像,之後利用電腦運算重構出待測樣品之實體影像。
特別是,我們可以針對待測樣品進行各層分析,讓內部結構逐一顯現,如圖一所示,針對 BGA 待測樣品,從封裝體至晶片內各層走線都能逐一提出;透過影像呈現,還可以測量局部線寬 / 線距,導通孔(Via)尺寸與各層結構的厚度。