2025/12/18
圖文引用自：tw.news.yahoo.com
路透社報導指出，這台先進晶片製程原型機於2025年初研發製造完成，目前正進行測試，體積幾乎占滿整個工廠樓層。
中國當局未回應對路透社報導內容的置評請求。
路透社報導，兩名知情人士透露，這項先進晶片製程設備由曾任職荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）的工程師團隊打造，透過逆向工程仿製ASML的極紫外光刻機（EUV）。知情人士並表示，中國這台原型機已能成功產生極紫外光，並可正常運作，但尚未製造出可用的晶片。
ASML執行長福克（Christophe Fouquet）在今年4月指出，中國仍需要「非常、非常多年」才能發展出這類技術。不過，根據路透率先披露以上消息，顯示中國距離半導體自主的時間點，可能比分析師預期更近了。
儘管如此，中國仍面臨重大技術挑戰，特別是在複製西方供應商生產的高精密光學系統方面。兩名知情人士指出，中國是透過二手市場取得舊款ASML設備零件，打造這台國產原型機。中國政府設定的目標是在2028年前以這套設備製造出可用晶片，但更現實的時間點可能落在2030年，仍比外界認為的「至少十年」大幅提前。
全球僅ASML一家公司完全掌握極紫外光刻機技術，其設備單價約2.5億美元，是輝達（Nvidia）、超微（AMD）設計、並由台積電、英特爾（Intel）與三星（Samsung）製造的最先進晶片不可或缺的關鍵設備。目前，ASML的極紫外光刻機系統僅供應給美國盟友，包括台灣、韓國與日本。
美國自2018年開始施壓荷蘭，阻止ASML對中國出售極紫外光刻機系統；2022年拜登政府更擴大出口管制，全面切斷中國取得先進半導體技術的管道。ASML向路透證實，從未向中國客戶出售任何極紫外光刻機系統。
這些管制也涵蓋較舊的深紫外光（DUV）設備，目的是讓中國在晶片製造能力上至少落後一個世代。
路透社報導指出，中國這項突破，標誌著中國為實現半導體自給自足、歷時六年政府計畫的里程碑，這也是中國國家主席習近平最優先政策之一。儘管中國的半導體目標早已公開，但深圳極紫外光刻機 計畫一直在祕密進行。
中國官媒已證實這項專案隸屬於中國的半導體戰略，由習近平親信、中央科技委員會主任丁薛祥主導。知情人士指出，中國科技巨擘華為在其中扮演關鍵協調角色，串聯全國數千名工程師、企業與國家研究機構。…
