中推「獨創性聲明」 加大半導體、光子、量子專利保護

中國國務院總理李強日前簽署國務院令,公布修訂後的「集成電路布圖設計保護條例」,自10月15日起施行。(新華社)

2026/08/06

圖文引用自:聯合新聞網

中美科技戰日益升級,中國也逐步強化科技保護。中國近日公布新版積體電路布圖設計保護條例,是條例施行25年來首次全面修訂,重點包括將電路布局的保護範圍從「半導體」擴充至「半導體+光子+量子」,且引入「獨創性聲明」制度,明確權利範圍界定標準,並加大侵權賠償力度。

國務院總理李強日前簽署國務院令,公布修訂後的積體電路布圖設計保護條例,自10月15日起施行。

修訂的主要內容包括:一是明確總體要求,規定積體電路布圖設計保護工作應當貫徹智財權戰略部署,擴展保護範圍,強調誠實信用;二是完善申請、審查程序,規範虛假申請,細化申請文件要求,完善駁回、撤銷程序,增加權利恢復程序;三是加強專利權保護,明確權利範圍界定標準,加大侵權賠償力度;四是促進布圖設計運用,加強公共服務,明確獎酬措施等。

此次修訂重點之一是將光子、量子等積體電路的布圖設計納入「條例」保護範圍。澎湃新聞援引國家工業信息安全發展研究中心知識產權所副所長黃蘊華分析,光子、量子等顛覆性技術不斷湧現,推動積體電路邁入「後摩爾時代」,這項調整可視為對技術發展前沿的積極回應。…

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