喬治亞理工學院研發耐輻射的新型 NAND 快閃記憶體 可承受 30 倍於傳統技術的輻射水平

2026/05/19

圖文引用自：www.techritual.com

隨著太空任務越來越遠離地球，航天器必須逐漸自行處理和存儲數據，而人工智能預計將成為管理這些日益增長的數據量的主要工具。這些系統所依賴的記憶體必須在極其惡劣的環境中保持穩定。傳統的 NAND 閃存是目前在太空中儲存大量數據的最新技術，提供甲級存儲容量，然而太空中的輻射會對其造成顯著損害。輻射會與存儲數據的電荷互動，導致數據損壞。喬治亞理工學院的研究人員開發了一種基於鐵電材料的 NAND 閃存版本，能承受比傳統 NAND 高出 30 倍的輻射水平。

鐵電性是指某些材料能夠保持永久的自發電極化的能力。這種極化的數據存儲方式與傳統 NAND 的不同，而這種差異在輻射下極為重要。「如果將傳統閃存送入太空，輻射與閃存中被捕獲的電荷互動，容易導致數據損壞，」喬治亞理工學院電子計算機工程學院副教授 Asif Khan 在新聞稿中表示。「相比之下，鐵電 NAND 閃存不是以被捕獲的電荷存儲數據，而是以材料中的極化存儲。

而極化對輻射影響的抵抗力非常強。」使這一切成為可能的材料是氧化鉿，這是一種與矽相容的化合物，鐵電性首次在 15 年前被發現。Khan 的實驗室花了十年時間來確定其能力。儘管如此，新架構所顯示的輻射耐受度仍然令團隊感到驚訝。…